Intel奇迹上演：2年内EUV工艺超越量产多年的台积电、三星

Intel以往是迹上积电全球最先进芯片工艺的领导者，然而在14nm到10nm节点之间遇到了问题，演年导致台积电、工艺三星追赶上来了，量产并且率先量产了EUV工艺，多年的台不过Intel也在努力反超，迹上积电CEO制定的演年路线图意味着他们只要2年就能实现EUV工艺赶超台积电、三星的工艺计划。

Intel目前量产的量产工艺是Intel 7，从明年的多年的台14代酷睿开始进入Intel 4工艺，这是迹上积电Intel首个EUV工艺，之后的演年Intel 3工艺则是在Intel 4基础上改进。

2024年上半年Intel会量产20A工艺，工艺原定2025年量产的量产18A工艺也提前到了2024年下半年，这两代工艺会放弃FinFET晶体管工艺，多年的台首次进入埃米级工艺，用上Intel的两大黑科技技术，也就是RibbonFET和PowerVia，前者是GAA晶体管的Intel版，后者是Intel首创并独有的背面供电技术。

按照Intel的计划，这个路线图意味着他们在2023-2024年的1-2年内就会实现三代EUV工艺量产，而且技术水平足以超过台积电重返第一的。

要知道，台积电、三星最早在2018-2019年就开始生产EUV工艺，华为的麒麟990是首个台积电7nm EUV工艺，到2024-2025年的时候，这两家量产EUV工艺至少5-6年时间，Intel只用1-2年就轻松超越了。

Intel现在的4年量产5代CPU工艺的路线图如果没有任何跳票，那真的是Intel的奇迹4年。