近日，日本据CNMO了解，技进展日本大阪大学、术新三重大学、可使美国康奈尔大学的半导倍研究团队开发出了用于“6G”的半导体成膜技术。据悉，导电该技术能够去除成膜过程中产生的性提杂质，使晶体管材料的高至导电性提高至约4倍。相关媒体报道称，日本该技术计划应用于产业用途，技进展例如在高速无线通信基站上增幅电力等。术新

据相关媒体报道称，可使目前想要实现超高速通信，半导倍需要导电性强的导电晶体管。该硬性需求使得，性提在基板上分别层叠电子生成层和电子转移层的高电子迁移率晶体管被人们所关注。据目前的技术，电子生成层大多使用的氮化铝镓，其中，导电性强的氮化铝（AlN）的含有率为20~30%，而新技术将提高氮化铝的比率。

据相关媒体报道称，上述研究团队开发出了用氮化铝代替氮化铝镓的高电子迁移率晶体管（HEMT）制造技术。此前的技术在成膜过程中氮化铝表面发生氧化，由此产生的氧杂质改变氮化铝的结晶，难以获得高导电性。而新技术则可以通过形成非常薄的铝膜，以此来还原表面的氧化膜，并使其挥发，解决了这一难题。最终将导电性提高到原来的3-4倍。

该技术的特点是不需要使用价格更高的氮化铝基板，转而可以在直径约5厘米的较大蓝宝石基板上实现这一构造。据悉，研究团队计划改用更实用的方法，将在一年内试制出高电子迁移率晶体管。

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